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STP50N06L中文资料

  • 大小：199.07KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 15 V
  • 漏极连续电流：50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.024 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 下降时间：215 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：31 S
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：150 W
  • 上升时间：550 ns
  • 工厂包装数量：50

STP50N06L供应商

更新时间:2023-01-06 14:17:02
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